高導(dǎo)熱基片新型材料---氮化硅陶瓷基片

氮化硅陶瓷基片具有成為高導(dǎo)熱基片的潛力，其各種性能也非常強(qiáng)，下面有三種陶瓷基板材料的性能對(duì)比，對(duì)比可以看出氮化硅陶瓷的一些優(yōu)勢(shì)，科眾陶瓷廠帶大家一起了解下氮化硅陶瓷基片安吧。

氮化硅陶瓷具有硬度大、強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)小、高溫蠕變小、抗氧化性能好、熱腐蝕性能好、摩擦系數(shù)小等諸多優(yōu)異性能，是綜合性能最好的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。單晶氮化硅的理論熱導(dǎo)率可達(dá)400w/(m·K)，具有成為高導(dǎo)熱基片的潛力。

此外，氮化硅的線膨脹系數(shù)與Si、SiC和GaAs等半導(dǎo)體材料匹配良好，這使氮化硅陶瓷成為一種極具有吸引力的高強(qiáng)高導(dǎo)熱電子器件基板材料。氮化硅、氮化鋁及氧化鋁陶瓷的力學(xué)性能對(duì)比見(jiàn)下表。

?可靠性測(cè)試指的在-40~+150℃條件下循環(huán)，材料不發(fā)生破壞的次數(shù)。

隨著電動(dòng)力汽車(chē)的流行，氮化硅陶瓷基片也將迎來(lái)發(fā)展機(jī)遇

帶孔陶瓷基片

氮化硅陶瓷力學(xué)性能與熱學(xué)性能與高功率電子基板材料的要求完美貼合。Si3N4陶瓷基片材料在未來(lái)的廣闊的市場(chǎng)前景，引起了國(guó)際陶瓷企業(yè)的高度重視。而目前全球真正將Si3N4陶瓷基片用于實(shí)際生產(chǎn)電子器件的只有東芝、京瓷和羅杰斯等少數(shù)公司。商用Si3N4陶瓷基片的熱導(dǎo)率一般在56~90w/(m·K)。以日本東芝公司為例，截止2016年已占領(lǐng)了全球70%的氮化硅基片市場(chǎng)份額，據(jù)報(bào)道其Si3N4陶瓷基片產(chǎn)品已用于混合動(dòng)力汽車(chē)/純電動(dòng)汽車(chē)(HEV/EV)市場(chǎng)領(lǐng)域。